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● 低溫 （150~300°C） 處理 ● 形成 高品質(zhì)的SiO2膜 低應(yīng)力 、 無等離子體損傷 、 小顆粒 ? 降低 導入和維護成本 小占地面積 、 無需 真空 · 等離子體處理 ● 價格低廉 氣相沉積設(shè)備
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氣相沉積設(shè)備 ● ±2%以內(nèi)的膜厚均勻性 ● 低溫工藝對應(yīng) ● 抑制 顆粒產(chǎn)生 ● 提高 維護性 ● 緊湊的裝置結(jié)構(gòu) ● 提高 **性 ● 良好的臺階覆蓋性
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● 8英寸/小時100張高通量 ●采用SiC托盤，可應(yīng)對重金屬污染， 實現(xiàn)長期穩(wěn)定工藝 ●提高維護性 氣相沉積設(shè)備
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AMAYA天谷制作所連續(xù)常壓 CVD設(shè)備A6300S ●6英寸~120張/小時吞吐量 ●采用SiC托盤的重金屬污染對策 氣相沉積設(shè)備
