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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
氣相沉積設(shè)備
● ±2%以內(nèi)的膜厚均勻性
● 低溫工藝對應(yīng)
● 抑制
顆粒產(chǎn)生 ● 提高
維護(hù)性 ● 緊湊的裝置結(jié)構(gòu)
● 提高
**性 ● 良好的臺階覆蓋性
詳情介紹：
概述
在密封室中，晶圓的沉積表面通過上部夾頭向下部保持并加熱，
同時(shí)從底部的分散頭吹出工藝氣體。
通過夾緊，可以提高晶圓表面的溫度均勻性，實(shí)現(xiàn)出色的薄膜厚度均勻性。
此外，通過防止氣體進(jìn)入晶圓背面，防止背面沉積，防止顆粒粘附在晶圓上和腔室中
。
設(shè)備尺寸盡可能緊湊，占用空間*小。
密封室消除了氣體泄漏，提高了工人的**性。
性能
| 支持的晶圓尺寸 | 到 8 英寸 | |||||||||||||||||
| 氣體種類 | SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3是可選的） | |||||||||||||||||
| 沉積溫度 | 300～450℃ | |||||||||||||||||
| 生產(chǎn)力 | ~15張/小時(shí)（500nm成膜時(shí)） | |||||||||||||||||
規(guī)格
| 設(shè)備尺寸 | 890mm(W) x 2300mm(D) x 2250mm(H) | |||||||||||||||||
| 加熱機(jī)構(gòu) | 電阻加熱 | |||||||||||||||||
| 卸載 | 雙滑塊，機(jī)器人 CtoC 輸送 | |||||||||||||||||
|
分散頭 （氣體噴嘴） |
圓形 | |||||||||||||||||
重慶代理AMAYA天谷制作所高性能單片式常壓CVD裝置A200V
云南代理AMAYA天谷制作所高性能單片式常壓CVD裝置A200V
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