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產(chǎn)品中心

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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品名稱：日本DNK科研曝光機MA-4000光刻機
產(chǎn)品型號： MA-4000
產(chǎn)品廠商：DNK 科研
產(chǎn)品價格：0
折扣價格：0
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簡單介紹：

主要特長采用獨自的平行調(diào)整機構(gòu),能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。利用獨自的高速圖像處理技術,實現(xiàn)高精度的對位。利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。利用獨自的接觸壓力精密控制機構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。通過Wafer的背面真空吸著方式,實現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動搬送

詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
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?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規(guī)格

		MA-4000
Wafer尺寸		?2～4″	?4～6″
掩膜尺寸		□5″	□7″
光源		超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W1340 x D1430 x H1900mm
外觀尺寸及重量	本體重量	1120kg
選購項		生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對位、○□基板兼用

※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽

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產(chǎn)品名稱：日本DNK科研曝光機MA-4000光刻機

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